林兰英（1918年2月7日—2003年3月4日），女，福建莆田人，半导体材料科学家，中国科学院学部委员，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师。
林兰英于1940年从福建协和大学毕业后留校任教；1948年赴美留学，进入宾夕法尼亚州迪金森学院数学系学习；1949年获得迪金森学院数学学士学位，同年进入宾夕法尼亚大学研究生院进行固体物理的研究，先后获得硕士、博士学位；1955年博士毕业后进入纽约长岛的索菲尼亚公司担任高级工程师进行半导体研究；1957年1月回到中国，并进入中国科学院物理研究所工作；1960年中国科学院半导体研究所成立后，林兰英担任该所研究员；1977年至1983年担任中国科学院半导体研究所副所长；1980年当选为中国科学院学部委员（院士）；2003年3月4日在北京逝世，享年85岁。
林兰英主要从事半导体材料制备及物理的研究。在锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶和高纯锑化铟单晶的制备及性质等研究方面获得成果，其中砷化镓气相和液相外延单晶的纯度及电子迁移率，均达到国际先进水平。
1918年2月7日（农历丁巳年十二月二十六日），林兰英出生于福建莆田县。幼年为了上学，经过一番绝食斗争，家人同意林兰英上了砺青小学，林兰英在砺青小学的成绩始终在有着40多名男女学生的班中占居前两名，校长彭介之决定保送她进入砺青中学。
1930年9月，进入砺青中学初中部一年级，初中六个学期她都保持全年级第一。
1933年9月，进入莆田中学高中部一年级，成了当时高一年级唯一的一名女生，后来由于莆田中学搞起了学生运动，林兰英对运动本无兴趣，转学至莆田县惟一的一所教会女子中学———咸益中学就读。
1936年，考入福建协和大学（现福建师范大学）物理系。
1940年，从福建协和大学毕业后作为优秀生留校任助教。
1944年，担任福建协和大学讲师。
1947年5月，福建协和大学与美国宾夕法尼亚州的迪金森学院建立互换留学生的关系。
1948年8月9日，远涉重洋到美国留学，进入国宾夕法尼亚州的迪金森学院数学系学习。
1949年，获得迪金森学院数学学士学位，同时获得美国大学荣誉学会迪金森分会奖励她的一枚金钥匙；同年深秋，进入宾夕法尼亚大学研究生院，开始了固体物理的研究。
1951年，获得宾夕法尼亚大学固体物理学硕士学位，之后继续攻读博士学位，师从米勒教授。
1955年6月，凭借博士论文《弱X射线辐照引起氯化钾和氯化钠晶体的膨胀》获得宾夕法尼亚大学固体物理学博士学位，是该校建校215年以来，第一位获得博士学位的中国人，也是该校有史以来的第一位女博士。博士毕业后，导师推荐她去纽约长岛专司半导体研究的索菲尼亚公司任高级工程师。之后，她被聘为从事半导体科研工作的索菲尼亚公司（Sylvania公司）高级工程师，靠林兰英杰出的科学分析指导，公司成功地造出了第一根硅单晶，不久，又为公司申报了两项专利，公司三次提高她的年薪。林兰英回国时索菲尼亚公司给她年薪10000美元，回国后每月207元人民币。
1956年6月，林兰英以“母亲重病”为由，向印度驻美国大使馆提交回国申请，9月使馆通知她填写有关回国事宜的表格。
1957年1月29日，几经周折抗争，林兰英乘坐的客轮安抵香港，在国务院办公厅周密安排下，她走上了深圳罗湖桥头，回到了中国，之后由大弟林文豪送她经上海去北京，进入中国科学院物理研究所工作，历任研究员，副所长。
1960年，担任中国科学院半导体研究所研究员。
1966年，“文革”开始那年，她还与中国第一位女院士林巧稚一同登上天安门城楼，事后便跌于“文革”的沼泽中。
1977年—1983年，担任中国科学院半导体研究所副所长。
1980年，当选为中国科学院学部委员（院士）。
2003年3月4日，在北京因病医治无效逝世，享年85岁。
林兰英先后负责研制成中国第一根硅、锑化铟、砷化镓、磷化镓等单晶，为中国微电子和光电子学的发展奠定了基础，负责研制的高纯度汽相和液相外延材料达到国际先水平。开创了中国微重力半导体材料科学研究新领域，并在砷化镓晶体太空生长和性质研究方面取得了一定的成绩。
1958年秋天，林兰英研发出中国第一根硅单晶，为制造出无位错硅单晶，林兰英又投入研发硅单晶炉。她仔细考察、分析了苏联封闭式硅单晶炉，发现了不足，开始研究设计中国式硅单晶炉。1961年的深秋，由林兰英主持设计加工的中国第一台开门式硅单晶炉制造成功。1962年春，林兰英依靠国产第一台开门式硅单晶炉，正式启动拉制工作。中国第一根无位错的硅单晶拉制成功，无位错达国际先进水平。
根据2021年6月《莆田侨乡时报》显示，林兰英先后四次获得中国科学院科技进步奖一等奖，两次获国家科技进步二、三等奖。
时间 项目名称 奖励名称
1981年 4K和16K硅DRAM及提高成品率研究 中国科学院科学技术进步奖一等奖
1985年 提高砷化镓材料质量的研究 国家科学技术进步奖二等奖（排名第一）
1986年 高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs 中国科学院科学技术进步奖三等奖（排名第一）
1989年 微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究 中国科学院科学技术进步奖一等奖（排名第一）
1990年 等电子杂质In在GaAs中行为的研究 中国科学院科学技术进步奖三等奖（排名第一）
1991年 集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究 中国科学院科学技术进步奖三等奖（排名第一）
1995年 高质量GaAs/AlGaAs二维电子气材料研制及其器件应用 中国科学院科学技术进步奖二等奖（排名第六）
1996年 ф2”和ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究 中国科学院科学技术进步奖二等奖（排名第一）
1940年，林兰英从福建协和大学毕业后作为优秀生留校任助教，教授《普通物理学》《高等数学》《光学》《物性声学》《电磁学》等课程。
时间 荣誉表彰 授予单位
1980年 中国科学院学部委员（院士） 中华人民共和国国务院
1996年 何梁何利基金科学与技术进步奖 何梁何利基金
1998年 霍英东成就奖
林兰英是中国半导体科学事业开拓者之一。（中国科学院学部与院士评）
林兰英从事半导体材料科学40年，是中国半导体材料科学的奠基人，对中国半导体材料科学的发展作出了重大贡献。（何梁何利基金评）
林兰英的工作极大地推进了中国半导体材料的研究高度，为微电子和光电子学的发展奠定了基础，为中国太空事业做出巨大贡献。（《莆田侨乡时报》评）
林兰英是中国半导体材料科技最著名的开拓者，她带动同事一起创造了多个“新中国的第一”，受到全世界科学家关注，被誉为“中国太空材料之母”。（新浪新闻评）
时间 担任职务
1975年—1993年 中华人民共和国第四、五、六、七届全国人民代表大会代表
1978年—1985年 中国电子材料行业协会主任委员
1980年—1996年 中国科学技术协会副主席（第二至四届）
1986年 国家自然科学基金委员会委员
林兰英的祖先林润（1530-1569）是明朝嘉靖年间的御史大夫。因扳倒当朝丞相奸臣严嵩父子而名震朝野。林兰英的祖父经商有成，父亲大学毕业后在外地工作，母亲在家主持家政。
2002年，因莆田旧城改造，林润故居原样迁移到莆田城南乡沟头村的莆田一中新校区内，内含林润的后裔、林兰英院士故居。林兰英去世后，骨灰从北京运至林润故居内埋葬并建立林兰英陵园。故居的厅堂竖立林兰英塑像。林兰英在北京的住宅和办公室中的所有书籍和家具也运回莆田故居，陈列在林润故居内。
2004年12月，林兰英院士塑像揭幕仪式在莆田第一中学举行，中国科学院半导体研究所所长李晋闽及莆田市有关领导、部分科技专家、教师和学生共数千人参加了揭幕仪式。
2013年，在林兰英院士逝世十周年之际，为表达对她的思念之情和敬仰之意，学习老一辈科学家的高尚品德和创新精神，中国科学院半导体研究所特编辑制作了《林兰英院士纪念文集》。
纪念林兰英院士逝世十周年座谈会
2013年3月4日，在林兰英院士逝世10周年之际，为了弘扬她的爱国精神、回顾她的杰出成就、秉承她的科学思想，在中国科学院半导体研究所学术会议中心召开纪念林兰英院士逝世十周年座谈会。
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